Vishay , 1 N型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=600 V, 21 A, JEDEC TO-220AB, 3引脚, EF系列
- RS 库存编号:
- 180-7349
- 制造商零件编号:
- SIHP21N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 180-7349
- 制造商零件编号:
- SIHP21N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | EF | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.176Ω | |
| 最大功耗 Pd | 227W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 84nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 10.52 mm | |
| 长度 | 14.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 6.71mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 21A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 EF | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.176Ω | ||
最大功耗 Pd 227W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 84nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 10.52 mm | ||
长度 14.4mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 6.71mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHP21N60EF 是 N 沟道 EF 系列功率 MOSFET ，具有快速主体二极管，具有 600V 的漏极至源电压 (VDS) 和 30V 的栅极至源电压 (VGS)。它采用 TO-220AB 封装。它在 10VGS 时提供 0.176 欧姆的漏极至源电阻 (RDS)。最大漏极电流 21A。
快速主体二极管 MOSFET ，采用 E 系列技术
减少 TRR ， Qrr 和 IRRM
低品质因数 (FOM) ： Ron x Qg