Vishay P型沟道 单 MOSFET, Vds=20 V, 18 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 180-7356
- 制造商零件编号:
- SIS407ADN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥8,889.00
(不含税)
¥10,044.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年5月27日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB2.963 | RMB8,889.00 |
| 6000 - 9000 | RMB2.904 | RMB8,712.00 |
| 12000 + | RMB2.846 | RMB8,538.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7356
- 制造商零件编号:
- SIS407ADN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.009Ω | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 63nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 39.1W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±8 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 高度 | 0.79mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 3.61 mm | |
| 长度 | 3.61mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.009Ω | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 39.1W | ||
最大栅源电压 Vgs ±8 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
高度 0.79mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 3.61 mm | ||
长度 3.61mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 P 沟道， PowerPAK-1212-8 封装，是一种新时代的产品，漏极源电压为 20V ，最大栅极源电压为 8V。在 4.5V 的栅极源电压下，漏极源电阻为 9mohm。它的最大功耗为 39.1W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
• 无卤素
•无铅 (Pb) 组件
•低热阻 PowerPAK 封装
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•适配器开关
•电池管理
•负载开关