Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 12 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 180-7358
- 制造商零件编号:
- SIS412DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 180-7358
- 制造商零件编号:
- SIS412DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.03Ω | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 15.6W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21 | |
| 长度 | 3.61mm | |
| 高度 | 0.79mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.03Ω | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 15.6W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.8nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21 | ||
长度 3.61mm | ||
高度 0.79mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET,30 V最大漏源电压,12 A最大连续漏电流 - SIS412DN-T1-GE3
这款 n 通道 MOSFET 是一款表面贴装开关设备,专为工业和电子系统中的功率控制而设计。它可用作低压开关,在自动化、电源转换和驱动阶段管理电流,同时符合标准PCB制造实践。
特性和优点：
• 12 A 连续漏电流,可持续处理负载 • 30 V 漏源额定值,可实现低电压功率级 • 0.03Ω Rds(on)可最大程度地减少传导损耗和加热 • 3.8nC典型栅极电荷,实现高效开关性能 • 15.6W 功耗支持高功率 SMD 应用 • -55°C 至 150°C 工作温度范围,适用于宽温度环境
应用
• 适用于自动化领域的电机控制器低电压级别 • 适用于电源中的直流-直流转换器输出开关 • 用于工业控制面板的固态负载切换 • 可用于紧凑型 SMD 板上的高电流开关节点
驱动设计时应遵守哪些栅极容差?
该设备可耐受高达 20 V 的栅极电压,因此栅极驱动电路应在该范围内限制,以防止损坏。
热管理对连续运行有何影响?
具有 15.6 W 最大耗散功率,需要足够的 PCB 铜和热通道,以在大连续电流下保持接点温度。
对组装和布局适用的包装因素有哪些?
该组件采用八针PowerPAK 1212-8表面封装,因此封装和焊接轮廓必须与SMD轮廓匹配,以实现可靠的安装。
此组件是否适用于汽车认证设计?
它未指定为符合汽车标准,因此应作为不强制的汽车认证替代品。