Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 18 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
180-7359
制造商零件编号:
SIS413DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

18A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

TrenchFET

包装类型

PowerPAK 1212-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0094Ω

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

35.4nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

52W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

150°C

高度

1.12mm

标准/认证

RoHS

宽度

3.61 mm

长度

3.61mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay MOSFET 是 P 沟道, PowerPAK-1212-8 封装,是一种具有 30V 漏 - 源电压和 20V 最大栅 - 源电压的新时代产品。它在栅极源电压为 10V 时具有 9.4mohm 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 52W。 此产品经过优化,可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命,而不会影响性能或功能。

特点和优势


•无卤素和无铅 (Pb) 组件

•工作温度范围 -55°C 至 150°C

• TrenchFET 功率 MOSFET

应用


•适配器开关

•负载开关

•移动计算

• 电源管理