Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 2.2 A, TO-236, 贴片安装, 3引脚, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
180-7399
制造商零件编号:
SQ2337ES-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

通道类型

P

最大连续漏极电流

2.2 A

最大漏源电压

80 V

封装类型

TO-236

系列

TrenchFET

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

0.314 O

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.5V

每片芯片元件数目

1

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay 表面安装 P 沟道 MOSFET 是一种新时代的产品，漏 - 源电压为 80V ，最大栅 - 源电压为 20V。在 4.5V 的栅极源电压下，漏极源电阻为 290mohm。它的最大功耗为 3 W ，连续漏极电流为 2.2 A。此 MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 6V 和 10V。它可用于汽车应用。MOSFET 经优化可降低开关和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。

特点和优势


• 无卤素
•无铅 (Pb)
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
• TrenchFET 功率 MOSFET

认证


• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
•经过 RG 测试
• UIS 测试

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。