Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=8 V, 3.5 A, 微型支脚, 表面安装, 4引脚, SI8802DB-T2-E1, SI8802DB系列

RS 库存编号:: 180-7724
制造商零件编号:: SI8802DB-T2-E1
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=8 V, 3.5 A, 微型支脚, 表面安装, 4引脚, SI8802DB-T2-E1, SI8802DB系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 包，共 25 件）*

RMB69.075

(不含税)

RMB78.05

150 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
25 - 725	RMB2.763	RMB69.08
750 - 1475	RMB2.68	RMB67.00
1500 +	RMB2.60	RMB65.00

* 参考价格

RS 库存编号:: 180-7724
制造商零件编号:: SI8802DB-T2-E1
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	3.5A
	最大漏源电压 Vd	8V
	系列	SI8802DB
	包装类型	微型支脚
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	54mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.2V
	最大功耗 Pd	0.6W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	4.3nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	5V
	最高工作温度	150°C
	宽度	0.8mm
	长度	0.8mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 3.5A
	最大漏源电压 Vd 8V
	系列 SI8802DB
	包装类型微型支脚
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 54mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.2V
	最大功耗 Pd 0.6W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.3nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 5V
	最高工作温度 150°C
	宽度 0.8mm
	长度 0.8mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet

Vishay SI8802DB 系列 MOSFET,3.5 A 最大连续漏电流,8 V 最大漏源电压 - SI8802DB-T2-E1

这是一款紧凑型 N 通道增强型 MOSFET,专为表面贴装组件中的低电压开关而设计。它可在受限电压环境中运行,适用于工业电子产品中遇到的热条件。该设备采用小尺寸微型脚垫封装,带四个引脚,可直接集成到电路板上。

特性和优点：

• 8V 最大漏电压可实现低电压开关应用 • 3.5A 连续漏电流支持中等负载电流 • 54 mΩ Rds(on),可最大程度地减少运行过程中的导电损耗 • 4.3nC 典型栅极电荷,可在逻辑速度下高效切换 • 0.6W 功耗可处理电路板上的适度热负载 • -55°C 至 150°C 工作温度范围可承受广泛的极端温度

应用

• 适用于工业自动化控制器的栅极驱动级 • 特别适用于紧凑型组件中的低压电机驱动器开关 • 与控制面板中的电源管理电路配合使用 • 可用于传感器接口模块中的负载切换

开关性能应考虑哪些栅极驱动器限制?

与源相比,栅极不得超过 ±5 V,典型电荷为 4.3 nC,因此设计栅极驱动器可为所需的开关速度提供足够的电流,而不超过电压限制。

如何在 PCB 上进行热管理?

具有 0.6 W 最大耗散功率,在封装下方提供充足的铜面积或热通道,避免在附近集合高耗散组件,以保持接线温度在安全范围内。

为实现可靠组装,适用的安装注意事项是什么?

该设备是一种表面安装组件,采用微型脚垫封装,带四个引脚,因此为小型 SMD 使用合适的焊膏体积和回流轮廓,以确保一致的焊接接头。

Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=8 V, 3.5 A, 微型支脚, 表面安装, 4引脚, SI8802DB-T2-E1, SI8802DB系列

批量定价选项