Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=8 V, 3.5 A, 微型支脚, 表面安装, 4引脚, SI8802DB-T2-E1, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 180-7724
- 制造商零件编号:
- SI8802DB-T2-E1
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7724
- 制造商零件编号:
- SI8802DB-T2-E1
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 8V | |
| 包装类型 | 微型支脚 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 54mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 5 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| 最大功耗 Pd | 0.6W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 0.8mm | |
| 宽度 | 0.8 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.5A | ||
最大漏源电压 Vd 8V | ||
包装类型 微型支脚 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 54mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 5 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.3nC | ||
最大功耗 Pd 0.6W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 0.8mm | ||
宽度 0.8 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Siliconix SI8802DB 系列 TrenchFET N 沟道功率 MOSFET 具有 8 V 的漏极至源电压它的最大功耗为 0.9 W ，主要用于具有低电压降的负载开关。
低接通电阻
无卤素
无铅