Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=8 V, Id=3.5 A, 4针, 微型支脚, SI8802DB系列
- RS 库存编号:
- 180-7724P
- 制造商零件编号:
- SI8802DB-T2-E1
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 8V | |
| 系列 | SI8802DB | |
| 包装类型 | 微型支脚 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 54mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 5V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 0.6W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 0.8mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 0.8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 3.5A | ||
最大漏源电压 Vd 8V | ||
系列 SI8802DB | ||
包装类型 微型支脚 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 54mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.3nC | ||
最大栅源电压 Vgs 5V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 0.6W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 0.8mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 0.8mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SI8802DB 系列 MOSFET，最大连续漏极电流 3.5A，最大漏源电压 8V - SI8802DB-T2-E1
这款N沟道增强型MOSFET专为紧凑型表面贴装组件的低压开关和电源管理任务而设计。它可在宽温度范围内运行，适用于需要小尺寸封装和中等持续电流能力的设计。该器件符合RoHS要求，并采用非常紧凑的微型封装，适用于高密度电路板布局。
特性和优点：
• 54mΩ的导通电阻降低了传导损耗和发热
• 8V 漏源额定值可实现低电压功率级
• 3.5A连续漏极电流，支持中等负载电流
• 4.3nC典型栅极电荷可实现更快的开关转换
• 负载条件下的最大功耗为0.6W，可限制热应力
• 温度范围为-55°C至150°C，确保宽泛的耐热性
• 8V 漏源额定值可实现低电压功率级
• 3.5A连续漏极电流，支持中等负载电流
• 4.3nC典型栅极电荷可实现更快的开关转换
• 负载条件下的最大功耗为0.6W，可限制热应力
• 温度范围为-55°C至150°C，确保宽泛的耐热性
应用
• 适用于电池供电的低电压DC电源切换
• 适用于小型PCB的紧凑型电源管理模块
• 用于需要快速切换的电机驱动装置级应用
• 可用于便携式设备的电源轨切换
• 用于高密度表面贴装组件的负载切换
• 适用于小型PCB的紧凑型电源管理模块
• 用于需要快速切换的电机驱动装置级应用
• 可用于便携式设备的电源轨切换
• 用于高密度表面贴装组件的负载切换
它采用什么类型的引脚数和安装方式?
它作为四引脚器件提供，用于微型封装的表面贴装组装。
其热性能对于PCB 设计有何限制？
由于最大功耗为0.6W且采用小型封装，建议使用足够的覆铜面积或散热过孔来分散热量，防止局部温升。
对于快速开关，建议考虑哪些门控因素？
在规定的栅极电压下，典型栅电荷为4.3nC，这要求驱动装置级能够提供和吸收足够的电流，以实现所需的边沿速率。
安全操作必须遵守哪些电压限制？
为确保处于规定的电气限值范围内，该器件的漏-源极差值不得超过 8V，栅-源极幅度不得超过 5V。