Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 35 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, SIS443DN-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 180-7730
- 制造商零件编号:
- SIS443DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SIS443DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 35A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0117Ω | |
| 最大功耗 Pd | 52W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 41.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 0.79mm | |
| 长度 | 3.61mm | |
| 宽度 | 3.61 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 35A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0117Ω | ||
最大功耗 Pd 52W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 0.79mm | ||
长度 3.61mm | ||
宽度 3.61 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay 表面安装 P 沟道 PowerPAK-1212-8 MOSFET 是一款新时代的产品，漏极源电压为 40V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 11.7mohms 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 52W ，连续漏极电流为 35A。它分别具有最小和最大驱动电压 4.5V 和 10V。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•适配器开关
•直流 / 直流转换器
•负载开关
•移动计算
• 笔记本电脑
• 电源管理
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
•经过 RG 测试
• UIS 测试