Vishay N型沟道 单 MOSFET, Vds=650 V, 47 A, TO-247AC, E系列
- RS 库存编号:
- 180-7734P
- 制造商零件编号:
- SIHG47N65E-GE3
- 制造商:
- Vishay
小计 1 件 (按管提供)*
¥46.95
(不含税)
¥53.05
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 75 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB46.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7734P
- 制造商零件编号:
- SIHG47N65E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 47A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | E | |
| 包装类型 | TO-247AC | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.072Ω | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 273nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 417W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 47A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 E | ||
包装类型 TO-247AC | ||
最大漏源电阻 Rd 0.072Ω | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 273nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 417W | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay 表面安装 N 沟道 TO-247AC-3 MOSFET 是一种新时代的产品，漏极源电压为 650V ，最大栅极源电压为 30V。它在栅极源电压为 10V 时具有 72mohms 的漏极 - 源电阻。它的最大功耗为 417W ，连续漏极电流为 47A。其驱动电压为 10V。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•低品质因数 (FOM) Ron x Qg
•低输入电容 (Ciss)
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
•减少切换和传导损耗
•超低栅极电荷 (Qg)
应用
•电池充电器
•荧光镇流器照明
•高强度放电 (HID)
• 电动机驱动器
•功率因数校正电源 (PFC)
• 可再生能源
•服务器和电信电源
•太阳能 PV 变频器
•开关模式电源 (SMPS)
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• UIS 测试