Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 40 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET Gen IV系列
- RS 库存编号:
- 180-7743P
- 制造商零件编号:
- SIS476DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 180-7743P
- 制造商零件编号:
- SIS476DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | TrenchFET Gen IV | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0035Ω | |
| 最大功耗 Pd | 52W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 51nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| 宽度 | 3.61 mm | |
| 长度 | 3.61mm | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 TrenchFET Gen IV | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0035Ω | ||
最大功耗 Pd 52W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
宽度 3.61 mm | ||
长度 3.61mm | ||
高度 1.12mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIS476DN 是 N 沟道 MOSFET ，漏极至源 (VDS) 电压为 30V。栅极到源电压 (VGS) 为 20V。它采用 Power PAK 1212-8 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 10VGS 时为 0.0025 欧姆， 4.5VGS 时为 0.0035 欧姆。最大漏极电流 40A。
Trench FET Gen IV 功率 MOSFET
经过 100 % Rg 和 UIS 测试