Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 5.7 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, SI7415DN-T1-GE3

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制造商零件编号:
SI7415DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

5.7A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK 1212-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.065Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

最大功耗 Pd

3.8W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

宽度

3.61 mm

高度

1.12mm

标准/认证

IEC 61249-2-21

长度

3.61mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay 表面安装 P 沟道 PowerPAK-1212-8 MOSFET 是一款新时代的产品,漏极源电压为 60V ,最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 65mohms 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 3.8W ,连续漏极电流为 5.7A。它分别具有最小和最大驱动电压 4.5V 和 10V。此产品经过优化,可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命,而不会影响性能或功能。

特点和优势


•快速切换

• 无卤素

•无铅 (Pb) 组件

•工作温度范围 -55°C 至 150°C

• TrenchFET 功率 MOSFET

应用


•半桥电动机驱动器

•高电压非同步降压转换器

•负载开关

认证


• ANSI/ESD S20.20 : 2014

• BS EN 61340-5-1 : 2007

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。