Vishay , 2 P型, N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 4 A, TSOP, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SI5515CDC-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 180-7787P
- 制造商零件编号:
- SI5515CDC-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- SI5515CDC-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 3.1W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.05mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 1.65 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 TSOP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 3.1W | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.5nC | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.05mm | ||
高度 1mm | ||
宽度 1.65 mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay 表面安装双通道 (P 和 N 通道) MOSFET 是一种新时代的产品，漏极源电压为 20V ，漏极源电阻为 36mohm ，栅极源电压为 4.5V。最大额定功率为 3.1W。 MOSFET 具有 4A 的连续漏极电流。它适用于便携式设备的负载开关。MOSFET 经过优化，可降低开关和传导损耗。
特点和优势
• 无卤素
•无铅 (Pb)
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC 61249-2-21
•经过 RG 测试