Vishay , 1 N型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=500 V, 26 A, JEDEC TO-220AB, 3引脚, E系列
- RS 库存编号:
- 180-7790P
- 制造商零件编号:
- SIHP25N50E-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计 15 件 (按管提供)*
¥369.75
(不含税)
¥417.75
(含税)
有库存
- 另外 280 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 15 + | RMB24.65 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7790P
- 制造商零件编号:
- SIHP25N50E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 26A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 系列 | E | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.145Ω | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 86nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 10.52 mm | |
| 长度 | 14.4mm | |
| 高度 | 6.71mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 26A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
系列 E | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.145Ω | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 86nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 10.52 mm | ||
长度 14.4mm | ||
高度 6.71mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay 通孔安装 N 沟道 TO-220AB-3 MOSFET 是一款新时代的产品，漏极源电压为 500V ，最大栅极源电压为 30V。它在栅极源电压为 10V 时具有 145mohms 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 250W ，连续漏极电流为 26A。其驱动电压为 10V。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•低品质因数 (FOM) ： Ron x Qg
•低栅极电荷 (Qg)
•低输入电容 (Ciss)
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
•减少切换和传导损耗
应用
•硬切换拓扑
• PC 银盒 /ATX 电源
•功率因数校正电源 (PFC)
•开关模式电源 (SMPS)
•两级 LED 照明
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• UIS 测试