Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=500 V, Id=26 A, 3针, JEDEC TO-220AB, E系列

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包装方式：
RS 库存编号:
180-7790P
制造商零件编号:
SIHP25N50E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

功率MOSFET

最大连续漏极电流 Id

26A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

JEDEC TO-220AB

系列

E

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.145Ω

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

86nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

250W

最大栅源电压 Vgs

30V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

晶体管配置

单

长度

14.4mm

高度

6.71mm

标准/认证

RoHS

宽度

10.52mm

每片芯片元件数目

1

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

Vishay E 系列功率 MOSFET，500V 漏‑源电压，26A 连续漏极电流 - SIHP25N50E-GE3


这款功率MOSFET采用TO-220AB封装，是一款N沟道单晶体管，专为高压开关和功率转换任务而设计。它可在宽环境温度范围内运行，适用于需要大电流处理能力和稳健栅极驱动特性的应用。

特性和优点：


• 500V漏极额定值，适用于高压开关应用
• 26A持续漏极电流，用于承受持续负载
• 最大功耗250W，支持大功率运行
• 0.145Ω导通电阻，可降低负载条件下的导通损耗
• 典型栅极电荷为86nC，支持可预测的开关特性
• 最大Vgs为30V，支持通用栅极驱动电压

应用


• 适用于工业电源和转换器
• 适用于变频器的开关模式电源拓扑结构
• 用于需要500V能力的电机驱动电路
• 可用于高压继电器和保护切换
• 用于高温环境中的分立功率级应用

其能在什么温度范围内运行？


它的工作温度范围为-55°C至150°C，可适应冷启动和高温工作环境。

该封装形式对热管理有何影响？


TO-220AB 封装允许使用螺栓固定到电子散热器上，以增强散热并改善稳态热阻。

应遵循哪些栅极驱动限制？


将栅源电压保持在±30V以内，以避免超出器件的栅极阈值容差。

该器件是否已配置为多芯片？


该管芯每个芯片仅包含一个元件，因此采用并联连接时，需要进行精细的均流设计。

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