Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 7.6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2369DS-T1-GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 180-7798
- 制造商零件编号:
- SI2369DS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | RMB2.344 | RMB58.60 |
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| 1500 + | RMB2.206 | RMB55.15 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7798
- 制造商零件编号:
- SI2369DS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 40mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 1.6W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11.4nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 2.64 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 7.6A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 40mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 1.6W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.4nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.12mm | ||
长度 3.04mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 2.64 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay 表面安装 P 沟道 MOSFET 是一种新时代的产品，栅极源电压为 10V 时漏 - 源电阻为 29mohm。它的最大栅极源电压为 20V ，漏极源电压为 30V。MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 4.5V 和 10V。它具有 7.6A 的连续漏极电流和 2.5W 的最大功耗。 MOSFET 经优化可降低开关和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
• 无卤素
•无铅 (Pb)
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•直流 / 直流转换器
•用于移动计算
•负载开关
•笔记本电脑适配器开关
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
•经过 RG 测试