Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 13.2 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, SI7113DN-T1-GE3

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包装方式:
RS 库存编号:
180-7804
制造商零件编号:
SI7113DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

13.2A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

PowerPAK 1212-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.145Ω

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

52W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

50°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16.5nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS, JEDEC JS709A

长度

3.61mm

宽度

3.61 mm

高度

1.12mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay 表面安装 P 沟道 PowerPAK-1212-8 MOSFET 是一款新时代的产品,漏极源电压为 100V ,最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 134mohms 的漏极 - 源电阻。它的最大功耗为 52W ,连续漏极电流为 13.2A。此产品经过优化,可降低切换和传导损耗。它在中间直流 / 直流电源的有源钳位中具有应用。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命,而不会影响性能或功能。

特点和优势


•不含卤素和铅 (Pb)

•低热阻 Powerpak 封装,小尺寸,薄型 1.07mm

•最大和最小驱动电压为 4.5V 和 10V

•最大耗散功率为 52W

•工作温度范围介于 -50°C 和 150°C 之间

• TrenchFET 功率 MOSFET

认证


• ANSI/ESD S20.20 : 2014

• BS EN 61340-5-1 : 2007

•经过 RG 测试

• UIS 测试

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。