Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 13.2 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, SI7113DN-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 180-7804
- 制造商零件编号:
- SI7113DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SI7113DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.145Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 52W | |
| 最低工作温度 | 50°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS, JEDEC JS709A | |
| 宽度 | 3.61mm | |
| 长度 | 3.61mm | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 13.2A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.145Ω | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.5nC | ||
最大功耗 Pd 52W | ||
最低工作温度 50°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS, JEDEC JS709A | ||
宽度 3.61mm | ||
长度 3.61mm | ||
高度 1.12mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay 表面贴装 P 沟道 PowerPAK-1212-8 MOSFET 是一款新时代产品，其漏源电压为 100V，最大栅源电压为 20V。在栅源电压为 10V 时，其漏源电阻为 134mΩ。其最大功耗为 52W，连续漏极电流为 13.2A。本产品已针对降低开关损耗和导通损耗进行优化。适用于中间 DC-DC 电源的有源钳位应用。该 MOSFET 在确保性能与功能不受影响的前提下，兼具卓越的效率和长久稳定的使用寿命。
特点和优势
•不含卤素和铅 (Pb)
•低热阻 Powerpak 封装，小尺寸，薄型 1.07mm
•最大和最小驱动电压为 4.5V 和 10V
•最大耗散功率为 52W
•工作温度范围介于 -50°C 和 150°C 之间
• TrenchFET 功率 MOSFET
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
•经过 RG 测试
• UIS 测试