Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=200 V, 3.8 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 180-7820P
- 制造商零件编号:
- SI7119DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|
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- 180-7820P
- 制造商零件编号:
- SI7119DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.1Ω | |
| 最大功耗 Pd | 52W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| 最低工作温度 | 50°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.07mm | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21 | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 3.8A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.1Ω | ||
最大功耗 Pd 52W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.6nC | ||
最低工作温度 50°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.07mm | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21 | ||
宽度 3.3 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay 表面安装 P 沟道 PowerPAK-1212-8 MOSFET 是一款具有 200V 漏 - 源电压和 20V 最大栅 - 源电压的新时代产品。它在栅极源电压为 10V 时具有 1050 mohms 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 52W ,连续漏极电流为 3.8A。此产品经过优化,可降低切换和传导损耗。它在中间直流 / 直流电源的有源钳位中具有应用。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命,而不会影响性能或功能。
特点和优势
• 无卤素
•低热阻 Powerpak 封装,小尺寸,薄型 1.07 mm
•最大耗散功率 52W
•工作温度范围介于 -50°C 和 150°C 之间
• TrenchFET 功率 MOSFET
认证
• ANSI/ESD S20.20 : 2014
• BS EN 61340-5-1 : 2007
• IEC 61249-2-21
•经过 RG 测试
• UIS 测试
