Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=200 V, 3.8 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列

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制造商零件编号:
SI7119DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

3.8A

最大漏源电压 Vd

200V

包装类型

PowerPAK 1212-8

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.1Ω

最大功耗 Pd

52W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10.6nC

最低工作温度

50°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

150°C

高度

1.07mm

标准/认证

IEC 61249-2-21

宽度

3.3 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay 表面安装 P 沟道 PowerPAK-1212-8 MOSFET 是一款具有 200V 漏 - 源电压和 20V 最大栅 - 源电压的新时代产品。它在栅极源电压为 10V 时具有 1050 mohms 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 52W ,连续漏极电流为 3.8A。此产品经过优化,可降低切换和传导损耗。它在中间直流 / 直流电源的有源钳位中具有应用。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命,而不会影响性能或功能。

特点和优势


• 无卤素

•低热阻 Powerpak 封装,小尺寸,薄型 1.07 mm

•最大耗散功率 52W

•工作温度范围介于 -50°C 和 150°C 之间

• TrenchFET 功率 MOSFET

认证


• ANSI/ESD S20.20 : 2014

• BS EN 61340-5-1 : 2007

• IEC 61249-2-21

•经过 RG 测试

• UIS 测试