Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=5.5 V, 1.2 A, SC-70-6, 表面安装, 6引脚, SIP32431DR3-T1GE3, SiP32431DR系列

RS 库存编号:: 180-7822
制造商零件编号:: SIP32431DR3-T1GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=5.5 V, 1.2 A, SC-70-6, 表面安装, 6引脚, SIP32431DR3-T1GE3, SiP32431DR系列

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RS 库存编号:: 180-7822
制造商零件编号:: SIP32431DR3-T1GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	1.2A
	最大漏源电压 Vd	5.5V
	包装类型	SC-70-6
	系列	SiP32431DR
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	147mΩ
	最大功耗 Pd	250mW
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	85°C
	高度	1.1mm
	宽度	2.2mm
	长度	2.15mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 1.2A
	最大漏源电压 Vd 5.5V
	包装类型 SC-70-6
	系列 SiP32431DR
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 147mΩ
	最大功耗 Pd 250mW
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 85°C
	高度 1.1mm
	宽度 2.2mm
	长度 2.15mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet

Vishay SiP32431DR系列MOSFET,5.5 V最大漏源电压,1.2 A最大连续漏电流 - SIP32431DR3-T1GE3

此 MOSFET 是 P 通道表面贴装晶体管,设计用于紧凑型电子组件中的低电压开关。它能在典型工业环境下的温度范围内工作,并采用小型 6 引线 SMD 封装,适用于密集的电路板布局。该设备适用于自动化系统和电子系统中需要受控低电流开关和适度功率处理的应用。

特性和优点：

• 最大漏源电压 5.5 V,可实现低电压切换能力
• 连续漏电流额定值为 1.2A,支持中等负载电流
• 漏源接通电阻 147 mΩ,可减少传导损耗
• 功耗 250 mW 限制了在稳定条件下的热升
• 工作温度范围为 -40 至 85°C,可在常见环境中使用
• 符合RoHS标准,可简化终端产品材料管理

应用

• 适用于控制模块中的栅极驱动和电平移动
• 特别适用于电池管理低电压断开
• 用于紧凑型自动化传感器的负载切换
• 可用于测量设备的信号路径保护
• 与密集的 PCB 上的小型电源管理电路配合使用

它用于 PCB 组装的安装方式是什么?

它是一款表面贴装设备,采用六引线SC‐70‐6封装,用于自动安装。

该设备如何在连续操作过程中管理热限制?

其最大稳定功耗为 250 mW,因此板热设计和铜面积必须与预期的耗散相匹配,以保持安全的接点温度。

此设备是否适用于汽车系统认证?

它未指定为汽车标准认证,不应用于合格的车辆系统。

这款晶体管提供哪种类型的传导?

该组件为 P 通道 MOSFET,可提供 P 型通道传导,用于高侧或极性敏感切换。