Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=190 A, 3针, SC-75, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 180-7825
- 制造商零件编号:
- SI1021R-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SI1021R-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 190A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SC-75 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 190A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SC-75 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 8Ω | ||
通道模式 增强 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Siliconix Si1021R 系列 TrenchFET 功率 MOSFET 具备低导通电阻和快速开关速度。它适用于电池供电系统、电源转换器电路、固态继电器及驱动器应用。
开关驱动简便
低失调电压
低压运行
高速电路
无需缓冲器即可轻松驱动
小型板面积
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