Vishay , 2 P型沟道 双沟道集成肖特基 MOSFET, Vds=30 V, 4.5 A, PowerPAK SC-70-6L, 表面安装, 6引脚
- RS 库存编号:
- 180-7827P
- 制造商零件编号:
- SIA817EDJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|
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- 制造商零件编号:
- SIA817EDJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAK SC-70-6L | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.065Ω | |
| 正向电压 Vf | 0.56V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.6nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最大功耗 Pd | 6.5W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双沟道集成肖特基 | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 长度 | 2.05mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 2.05 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4.5A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAK SC-70-6L | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.065Ω | ||
正向电压 Vf 0.56V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.6nC | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最大功耗 Pd 6.5W | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双沟道集成肖特基 | ||
高度 0.75mm | ||
长度 2.05mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 2.05 mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIA817EDJ 是 P 通道 MOSFET ，带肖特基二极管，具有 -30V 的漏极到源 (VDS) 电压。它具有双路加集成肖特基配置。栅极到源电压 (VGS) 为 12 伏。它采用 POWER PAK SC-70 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 10VGS 时为 0.065 欧姆， 4.5VGS 时为 0.008 欧姆。最大漏极电流 -4.5A。
小脚加肖特基功率 MOSFET
热增强型 Power PAK SC-70 封装小尺寸区域，低接通电阻，薄型 0.75 mm
典型 ESD 保护 (MOSFET) ： 1500 V (HBM)