Vishay , 1 N型沟道 单 MOSFET, Vds=100 V, 60 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SIR882ADP-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 180-7871P
- 制造商零件编号:
- SIR882ADP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计 750 件 (以卷装提供)*
¥13,734.00
(不含税)
¥15,519.75
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 8,800 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1495 | RMB18.312 |
| 1500 + | RMB17.764 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7871P
- 制造商零件编号:
- SIR882ADP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0087Ω | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19.5nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 宽度 | 5.26 mm | |
| 长度 | 6.25mm | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0087Ω | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19.5nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
宽度 5.26 mm | ||
长度 6.25mm | ||
高度 1.12mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay 表面安装 N 沟道 PowerPAK-SO-8 MOSFET 是一款新时代的产品，漏极源电压为 100V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 8.7mohms 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 83W ，连续漏极电流为 60A。它的最小和最大驱动电压分别为 4.5V 和 10V。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
• 无卤素
•无铅 (Pb) 组件
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• TrenchFET 功率 MOSFET ，用于快速切换
应用
•直流 / 直流主侧开关
•工业现场
•电信 / 服务器 48V ，全 / 半桥 DC/DC
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
•经过 RG 测试
• UIS 测试