Vishay , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 0.5 A, SC-89, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 180-7879P
- 制造商零件编号:
- SI1034CX-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SI1034CX-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 0.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | SC-89 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.396Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 220mW | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 宽度 | 1.2 mm | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 0.5A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 SC-89 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.396Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 220mW | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.3nC | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 1.7mm | ||
宽度 1.2 mm | ||
高度 0.6mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay MOSFET
Vishay 表面安装双 N 沟道 MOSFET 具有 20V 的漏 - 源电压。在 4.5V 的栅极源电压下，漏极源电阻为 396mohm。它的最大额定功率为 220mW。 MOSFET 具有 610mA 的连续漏极电流。MOSFET 经优化可降低开关和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•栅极源 ESD 保护： 1000V
• 无卤素
•无铅 (Pb)
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•电池供电设备
•驱动器：继电器，电磁阀，灯，锤子，显示器， 记忆
•便携式设备的负载 / 电源切换
•电源转换器电路
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
•经过 RG 测试