Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 8 A, TSOP, 贴片安装, 6引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 180-7882
- 制造商零件编号:
- SI3407DV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 180-7882
- 制造商零件编号:
- SI3407DV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.024 O | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
系列 TrenchFET | ||
封装类型 TSOP | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 0.024 O | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Siliconix Si3407DV 系列 TrenchFET P 通道功率 MOSFET 具有 20 V 的漏极至源电压它可用于负载开关和笔记本 PC。
PWM 优化
经过 100 % Rg 测试
经过 100% UIS 测试
无铅
无卤素
经过 100 % Rg 测试
经过 100% UIS 测试
无铅
无卤素
