Vishay N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 4.1 A, PowerPack, 表面安装, 8引脚, SI7956DP系列
- RS 库存编号:
- 180-7886P
- 制造商零件编号:
- SI7956DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|
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- SI7956DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | PowerPack | |
| 系列 | SI7956DP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.1Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 3.5W | |
| 最低工作温度 | -50°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 宽度 | 5.26 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.25mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4.1A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 PowerPack | ||
系列 SI7956DP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.1Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 3.5W | ||
最低工作温度 -50°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
高度 1.12mm | ||
宽度 5.26 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.25mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay 表面安装 N 沟道 PowerPAK-SO-8 MOSFET 是一款新时代的产品，漏极源电压为 150V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 105mohms 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 3.5W ，连续漏极电流为 4.1A。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•双 MOSFET ，可节省空间
• 无卤素
•无铅 (Pb) 组件
•低接通电阻，采用新型低热阻 PowerPAK 封装
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•半桥和正向转换器
•高效初级侧开关
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC 61249-2-21
•经过 RG 测试