Vishay N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 4.1 A, PowerPack, 表面安装, 8引脚, SI7956DP系列, SI7956DP-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 180-7886P
- 制造商零件编号:
- SI7956DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- SI7956DP-T1-GE3
- 制造商:
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | PowerPack | |
| 系列 | SI7956DP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.1Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 3.5W | |
| 最低工作温度 | -50°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.25mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4.1A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 PowerPack | ||
系列 SI7956DP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.1Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 3.5W | ||
最低工作温度 -50°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.12mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.25mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SI7956DP 系列 MOSFET,150 V 漏源电压,4.1 A 连续漏电流 - SI7956DP-T1-GE3
这款双 N 通道 MOSFET 是一款表面贴装开关设备,专为工业和电子系统中的高电压电源应用而设计。它可为负载开关和电源转换任务提供受控传导,可在宽环境范围内工作,适用于需要紧凑型双晶体管解决方案的板级集成。
特性和优点：
• 150V 漏电容差可实现高电压开关功能 • 4.1A 连续漏电流支持中等负载电流 • 0.1Ω Rds(on) 可最大限度减少传导损耗,从而提高效率 • 17nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为 • 3.5W 功耗可在紧凑型组件中管理热负载
应用
• 适用于自动化设备中的直流-直流转换器级别 • 特别适用于控制面板中的电机驱动器半桥电路 • 用于工业电子产品的开关模式电源 • 可用于紧凑型 PCB 上的配电开关
安全运行的允许栅极和漏极电压是多少?
栅极可驱动高达 20 V,设备可耐受高达 150 V 的漏源电压。
该设备在运行过程中可承受哪些极端热条件?
它的额定连续使用范围为-50°C至150°C的最高工作温度。
PCB 布局应提供多少引脚和哪种封装类型?
该组件作为 8 引脚 PowerPack 表面贴装设备提供,适用于标准接地模式。
双配置对电路实施有何影响?
两个晶体管采用单个封装,可实现紧凑型对接开关排列和简化电路板布线。