Vishay N型沟道 单 MOSFET, Vds=600 V, 21 A, TO-220, E系列, SIHA22N60E-E3

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180-7900
制造商零件编号:
SIHA22N60E-E3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

21A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

E

包装类型

TO-220

最大漏源电阻 Rd

0.18Ω

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

86nC

最大功耗 Pd

35W

最大栅源电压 Vgs

±30 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

晶体管配置

宽度

10.3 mm

长度

13.8mm

标准/认证

No

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
Vishay SIHA22N60E 是 E 系列 N 通道功率 MOSFET ,具有 600V 的漏极至源电压 (VDS)。 栅极至源电压 (VGS) 为 30V。它采用薄型引线 TO-220 FULLPAK 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 10 VGS 时为 0.18 欧姆。最大漏极电流 8A。

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低输入电容 (Ciss)

减少切换和传导损耗