Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 0.52 A, US, 表面安装, 6引脚, SI1411DH-T1-GE3, TrenchFET系列

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制造商零件编号:
SI1411DH-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

0.52A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

TrenchFET

包装类型

US

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

2.6Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

1W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.2nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-1.1V

最高工作温度

150°C

宽度

2.4 mm

长度

2.2mm

标准/认证

No

高度

1.1mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
Vishay Siliconix SI1411DH 系列 TrenchFET P 通道功率 MOSFET 具有 150 V 的漏极至源电压它用于直流 / 直流电源中的有源钳位电路。

小型,热增强型 SC-70 封装

超低接通电阻

无铅

无卤素

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