Vishay , 1 P型沟道 单 TrenchFET 功率 MOSFET, Vds=60 V, 120 A, TO-263, 3引脚, SQM系列, SQM120P06-07L_GE3
- RS 库存编号:
- 180-7921
- 制造商零件编号:
- SQM120P06-07L_GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥135.25
(不含税)
¥152.85
(含税)
有库存
- 1,610 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | RMB27.05 | RMB135.25 |
| 200 - 395 | RMB26.238 | RMB131.19 |
| 400 + | RMB25.452 | RMB127.26 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7921
- 制造商零件编号:
- SQM120P06-07L_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | TrenchFET 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | SQM | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0067Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 270nC | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 0.625in | |
| 宽度 | 0.41 in | |
| 高度 | 0.19in | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 TrenchFET 功率 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 SQM | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0067Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 270nC | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 0.625in | ||
宽度 0.41 in | ||
高度 0.19in | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 P 沟道， o-263-3 封装，是具有 60V 漏 - 源电压和 20V 最大栅 - 源电压的新时代产品。在 10V 的栅极源电压下，漏极源电阻为 6.7mohm。它的最大功耗为 375W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•无卤素和无铅 (Pb) 组件
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
•封装低热阻
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•适配器开关
•负载开关
• 笔记本电脑