Vishay N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 6.5 A, PowerPack, 表面安装, 8引脚, SI7216DN系列, SI7216DN-T1-E3
- RS 库存编号:
- 180-7922P
- 制造商零件编号:
- SI7216DN-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
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- 180-7922P
- 制造商零件编号:
- SI7216DN-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PowerPack | |
| 系列 | SI7216DN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 25mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -50°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 20.8W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6.5A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PowerPack | ||
系列 SI7216DN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 25mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -50°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12.5nC | ||
最大功耗 Pd 20.8W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.4mm | ||
宽度 3.4 mm | ||
高度 1.12mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SI7216DN 是双 N 沟道 MOSFET ，漏极至源电压 (VDS) 为 40V。 栅极至源电压 (VGS) 为 20V。它采用功率 PAK 1212-8 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 10 VGS 时为 0.032 欧姆， 4.5 VGS 时为 0.039 欧姆。最大漏极电流 6A。
Trench FET 功率 MOSFET
低热阻功率 PAK 封装，具有小尺寸和 1.07 mm 薄型
经过 100 % Rg 和 UIS 测试
符合 RoHS 指令 2002/95/EC