Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3.6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, TrenchFET系列

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制造商零件编号:
SI2300DS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.6A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

TrenchFET

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

68mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

3nC

最大栅源电压 Vgs

12 V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

1.1W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

2.64 mm

长度

3.04mm

高度

1.12mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay 表面安装 N 沟道 MOSFET 是一种新时代的产品,漏 - 源电压为 30V ,最大栅 - 源电压为 12V。在 4.5V 的栅极源电压下,漏极源电阻为 68mohm。它的最大功耗为 1.7 W ,连续漏极电流为 3.6 A。此晶体管的最小和最大驱动电压分别为 2.5V 和 4.5V。MOSFET 经优化可降低开关和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命,而不会影响性能或功能。

特点和优势


• 无卤素

•无铅 (Pb)

•工作温度范围 -55°C 至 150°C

• TrenchFET 功率 MOSFET

应用


•用于便携式设备的直流 / 直流转换器

•负载开关

认证


• ANSI/ESD S20.20 : 2014

• BS EN 61340-5-1 : 2007

• IEC 61249-2-21

•经过 RG 测试