Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 9.5 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 180-7961P
- 制造商零件编号:
- SI4896DY-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|
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- 180-7961P
- 制造商零件编号:
- SI4896DY-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 22mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 1.56W | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 34nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 宽度 | 6.2 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 9.5A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 22mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 1.56W | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 34nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 5mm | ||
高度 1.75mm | ||
宽度 6.2 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay 表面安装 N 沟道 MOSFET 是一种新时代的产品，漏极源电压为 80V ，最大栅极源电压为 20V。在 10V 的栅极源电压下，漏极 - 源电阻为 16.5mohm。它具有 1.56W 的功耗和 6.7A 的连续漏极电流。此 MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 6V 和 10V。MOSFET 经优化可降低开关和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
• 无卤素
•无铅 (Pb)
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•适配器开关
•负载开关
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC 61249-2-21