Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SQD50P06-15L_GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 180-7967
- 制造商零件编号:
- SQD50P06-15L_GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7967
- 制造商零件编号:
- SQD50P06-15L_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 136W | |
| 正向电压 Vf | -1.5V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 98nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 6.73 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 20mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 136W | ||
正向电压 Vf -1.5V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 98nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 6.73 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.41mm | ||
高度 2.38mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay MOSFET
Vishay 表面安装 P 沟道 MOSFET 是一种新时代的产品，漏极源电压为 60V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 15.5mohm 的漏 - 源电阻。它具有 50A 的连续漏极电流和 136W 的最大功耗。 此晶体管的最小和最大驱动电压分别为 4.5V 和 10V。它可用于汽车应用。MOSFET 经优化可降低开关和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
• 无卤素
•无铅 (Pb)
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
•低热阻封装
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•适配器开关
•负载开关
认证
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
•经过 RG 测试
• UIS 测试