Vishay , 1 P型沟道 单 MOSFET, Vds=60 V, 36 A, PowerPAK SO-8L, 8引脚, SQJ系列, SQJ457EP-T1_GE3
- RS 库存编号:
- 180-7972
- 制造商零件编号:
- SQJ457EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 180-7972
- 制造商零件编号:
- SQJ457EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 36A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | SQJ | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8L | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.025Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 65nC | |
| 最大功耗 Pd | 68W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 高度 | 1.14mm | |
| 宽度 | 5.13 mm | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 36A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 SQJ | ||
包装类型 PowerPAK SO-8L | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.025Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 65nC | ||
最大功耗 Pd 68W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 单 | ||
高度 1.14mm | ||
宽度 5.13 mm | ||
长度 6.15mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 P 沟道， o-263-3 封装，是具有 60V 漏 - 源电压和 20V 最大栅 - 源电压的新时代产品。在 10V 的栅极源电压下，漏极源电阻为 6.7mohm。它的最大功耗为 375W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•无卤素和无铅 (Pb) 组件
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•适配器开关
•直流 / 直流主开关
•负载开关
• 电源管理
认证
• 符合 AEC-Q101 标准
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
•经过 RG 测试
• UIS 测试