制造商编号

Vishay P型沟道功率 MOSFET, Vds=80 V, 110 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SUM110P08-11L-E3

RS 库存编号:: 180-7977P
制造商零件编号:: SUM110P08-11L-E3
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道功率 MOSFET, Vds=80 V, 110 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SUM110P08-11L-E3

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制造商零件编号:: SUM110P08-11L-E3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	110A
	最大漏源电压 Vd	80V
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.0112Ω
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	85nC
	最大功耗 Pd	375W
	最高工作温度	175°C
	长度	15.875mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 110A
	最大漏源电压 Vd 80V
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.0112Ω
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 85nC
	最大功耗 Pd 375W
	最高工作温度 175°C
	长度 15.875mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet

COO (Country of Origin):: TW

Vishay MOSFET

Vishay MOSFET 是 P 沟道， BE-263-3 封装是新时代的产品，漏极源电压为 80V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 11.2mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 375W。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。

特点和优势

•无铅 (Pb) 组件

•工作温度范围 -55°C 至 175°C

• TrenchFET 功率 MOSFET

应用

•适配器开关

•直流 / 直流主开关

•负载开关

• 电源管理

Vishay P型沟道 功率 MOSFET, Vds=80 V, 110 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SUM110P08-11L-E3

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Vishay MOSFET

特点和优势

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