Vishay P型沟道增强型 TrenchFET 功率 MOSFET, Vds=60 V, 1.7 A, TO-236, 表面安装, 3引脚, SQ2309ES-T1_GE3, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 180-7990
制造商零件编号:: SQ2309ES-T1_GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道增强型 TrenchFET 功率 MOSFET, Vds=60 V, 1.7 A, TO-236, 表面安装, 3引脚, SQ2309ES-T1_GE3, TrenchFET系列

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制造商零件编号:: SQ2309ES-T1_GE3
制造商:: Vishay

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P型
	产品类型	TrenchFET 功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	1.7A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	TO-236
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.335Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	8.5nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	2W
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC)
	高度	1.12mm
	长度	3.04mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P型
	产品类型 TrenchFET 功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 1.7A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 TO-236
	系列 TrenchFET
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.335Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.5nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 2W
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC)
	高度 1.12mm
	长度 3.04mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay 表面安装 P 沟道 MOSFET 是一种新时代的产品，漏极源电压为 60V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 15.5mohm 的漏 - 源电阻。它具有 50A 的连续漏极电流和 136W 的最大功耗。此晶体管的最小和最大驱动电压分别为 4.5V 和 10V。它可用于汽车应用。MOSFET 经优化可降低开关和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。

特点和优势

• 无卤素

•无铅 (Pb)

•工作温度范围 -55°C 至 175°C

•低热阻封装

• TrenchFET 功率 MOSFET

应用

•适配器开关

•负载开关

认证

• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

•经过 RG 测试

• UIS 测试

Vishay P型沟道 增强型 TrenchFET 功率 MOSFET, Vds=60 V, 1.7 A, TO-236, 表面安装, 3引脚, SQ2309ES-T1_GE3, TrenchFET系列

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特点和优势

应用

认证

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