Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 5.3 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SI4900DY-T1-E3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 180-8002P
- 制造商零件编号:
- SI4900DY-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SI4900DY-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.058Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 3.1W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 长度 | 4.8mm | |
| 高度 | 1.35mm | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5.3A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.058Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 3.1W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4 mm | ||
长度 4.8mm | ||
高度 1.35mm | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21 | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Siliconix SI4900DY 系列 TrenchFET 双 N 通道功率 MOSFET 具有 60 V 的漏极至源电压它可用于 LCD TV 和 CCFL 变频器。
无铅
无卤素