Vishay , 1 N型沟道 单 MOSFET, Vds=100 V, 42 A, PowerPAK SO-8L, 8引脚, SQJ488EP-T1_GE3
- RS 库存编号:
- 180-8020
- 制造商零件编号:
- SQJ488EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 180-8020
- 制造商零件编号:
- SQJ488EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 42A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8L | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.021Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 27nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 高度 | 1.14mm | |
| 长度 | 5.25mm | |
| 宽度 | 6.25 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 42A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8L | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.021Ω | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 单 | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
高度 1.14mm | ||
长度 5.25mm | ||
宽度 6.25 mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SQJ457EP 是一款汽车 N 沟道 175°C 最大接点温度 MOSFET ，漏极到源 (VDS) 电压为 100V。栅极到源电压 (VGS) 为 20V。它采用 Power PAK SO-8L 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 10VGS 时为 0.021 欧姆， 4.5VGS 时为 0.0258 欧姆。最大漏极电流 42A。
Trench FET 功率 MOSFET
符合 AEC-Q101
经过 100 % Rg 和 UIS 测试