Vishay , 2 P型, N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 5.3 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SI4559ADY-T1-E3

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制造商零件编号:
SI4559ADY-T1-E3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型, N型

最大连续漏极电流 Id

5.3A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

TrenchFET

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.58Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最大功耗 Pd

3.4W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6nC

正向电压 Vf

1.2V

晶体管配置

最高工作温度

150°C

标准/认证

IEC 61249-2-21

宽度

4 mm

高度

1.75mm

长度

5mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay 表面安装双通道 (P 和 N 通道) MOSFET 是一种新时代的产品,栅极源电压为 10V 时,漏极源电阻为 58mohm。它具有 60V 的漏 - 源电压。它具有 5.3A 和 3.9A 的连续漏极电流。它的最大额定功率为 3.4W。 它经过优化,可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命,而不会影响性能或功能。它适用于 CCFL 变频器。

特点和优势


• 无卤素

•无铅 (Pb)

•工作温度范围 -55°C 至 150°C

• TrenchFET 功率 MOSFET

认证


• ANSI/ESD S20.20 : 2014

• BS EN 61340-5-1 : 2007

• IEC 61249-2-21

•经过 RG 测试

• UIS 测试

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。