Vishay , 1 N型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=100 V, 14 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF530SPBF
- RS 库存编号:
- 180-8299
- 制造商零件编号:
- IRF530SPBF
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB6.554 | RMB327.70 |
| 100 - 150 | RMB6.358 | RMB317.90 |
| 200 + | RMB6.167 | RMB308.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8299
- 制造商零件编号:
- IRF530SPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 14A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.16Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 26nC | |
| 正向电压 Vf | 2.5V | |
| 最大功耗 Pd | 88W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| 长度 | 9.65mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 宽度 | 10.67 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 14A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.16Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC | ||
正向电压 Vf 2.5V | ||
最大功耗 Pd 88W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
长度 9.65mm | ||
高度 4.83mm | ||
宽度 10.67 mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 N 沟道， IN-263-3 封装，是一种新时代的产品，漏极源电压为 100V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 160mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 88W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•提供带装和卷装
•动态 dV/dt 额定值
•易于并联
•快速切换
• 无卤素
•无铅 (Pb) 组件
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
•重复耐雪崩等级
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•电池充电器
• 变频器
• 电源
•开关模式电源 (SMPS)