Vishay , 1 N型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=200 V, 5.2 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF620S系列, IRF620SPBF

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计(1 管,共 50 件)*

RMB459.75

(不含税)

RMB519.50

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 700 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
Per Tube*
50 - 50RMB9.195RMB459.75
100 - 150RMB8.919RMB445.95
200 +RMB8.652RMB432.60

* 参考价格

RS 库存编号:
180-8301
制造商零件编号:
IRF620SPBF
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

5.2A

最大漏源电压 Vd

200V

系列

IRF620S

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.8Ω

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

50W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14nC

最高工作温度

150°C

晶体管配置

标准/认证

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

每片芯片元件数目

1

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

Vishay IRF620S系列功率MOSFET,200 V最大漏源电压,5.2 A最大连续漏电流 - IRF620SPBF


此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,设计用于电子和工业系统中的开关和电源管理任务。它采用TO-263表面贴装封装,适用于板级安装,适用于需要中等电流处理和高温运行的应用。

特性和优点:


• 200V 漏源额定值可实现高电压切换能力 • 5.2 A 连续漏电流支持中等负载电流 • 0.8Ω Rds(on)为热量预算提供可预测的传导损耗 • 14nC 典型栅极电荷,可实现合理的开关速度和驱动设计 • 50W 功耗有助于对功率级进行热设计 • -55°C 至 150°C 工作温度范围,可耐受宽温度环境

应用


• 适用于工业设备的开关电源 • 适用于电机驱动门级,具有中等电流需求 • 用于自动化系统中的直流-直流转换器 • 可用于电气控制面板的负载切换

热管理适用哪些安装因素?


TO-263 SMD 封装需要合适尺寸的铜垫和热通道,以分散耗散功率并保持接线温度在限值范围内。

我应该设计哪种栅极驱动电压范围?


栅极源电压必须保持在 ±20V 范围内,因此驱动电路应相应限制施加的栅极振幅。

设备坚固性如何影响高温下的可靠性?


最高工作温度为 150°C,允许在高温环境中使用,但连续耗散接近 50 W 限制需要有效的 PCB 热设计,以避免热过度应力。

采购是否具有相关的环保标准?


该组件符合 RoHS 要求,并符合 PCB 组装过程的相关材料规格。