Vishay , 1 N型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=200 V, 5.2 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF620S系列, IRF620SPBF
- RS 库存编号:
- 180-8301
- 制造商零件编号:
- IRF620SPBF
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
查看批量定价选项小计(1 管,共 50 件)*
RMB459.75
(不含税)
RMB519.50
(含税)
有库存
- 700 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB9.195 | RMB459.75 |
| 100 - 150 | RMB8.919 | RMB445.95 |
| 200 + | RMB8.652 | RMB432.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8301
- 制造商零件编号:
- IRF620SPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | IRF620S | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.8Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 标准/认证 | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5.2A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 IRF620S | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.8Ω | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
标准/认证 RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay IRF620S系列功率MOSFET,200 V最大漏源电压,5.2 A最大连续漏电流 - IRF620SPBF
此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,设计用于电子和工业系统中的开关和电源管理任务。它采用TO-263表面贴装封装,适用于板级安装,适用于需要中等电流处理和高温运行的应用。
特性和优点:
• 200V 漏源额定值可实现高电压切换能力 • 5.2 A 连续漏电流支持中等负载电流 • 0.8Ω Rds(on)为热量预算提供可预测的传导损耗 • 14nC 典型栅极电荷,可实现合理的开关速度和驱动设计 • 50W 功耗有助于对功率级进行热设计 • -55°C 至 150°C 工作温度范围,可耐受宽温度环境
应用
• 适用于工业设备的开关电源 • 适用于电机驱动门级,具有中等电流需求 • 用于自动化系统中的直流-直流转换器 • 可用于电气控制面板的负载切换
热管理适用哪些安装因素?
TO-263 SMD 封装需要合适尺寸的铜垫和热通道,以分散耗散功率并保持接线温度在限值范围内。
我应该设计哪种栅极驱动电压范围?
栅极源电压必须保持在 ±20V 范围内,因此驱动电路应相应限制施加的栅极振幅。
设备坚固性如何影响高温下的可靠性?
最高工作温度为 150°C,允许在高温环境中使用,但连续耗散接近 50 W 限制需要有效的 PCB 热设计,以避免热过度应力。
采购是否具有相关的环保标准?
该组件符合 RoHS 要求,并符合 PCB 组装过程的相关材料规格。
