Vishay , 1 N型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=500 V, 2.5 A, IRF820ASPBF
- RS 库存编号:
- 180-8306
- 制造商零件编号:
- IRF820ASPBF
- 制造商:
- Vishay
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小计（1 管，共 50 件）*
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB6.874 | RMB343.70 |
| 100 - 150 | RMB6.667 | RMB333.35 |
| 200 + | RMB6.467 | RMB323.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8306
- 制造商零件编号:
- IRF820ASPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17nC | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 10.67 mm | |
| 标准/认证 | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| 长度 | 2.79mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 2.5A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
最大漏源电阻 Rd 3Ω | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17nC | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 10.67 mm | ||
标准/认证 RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
长度 2.79mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay IRF820AS 是 N 沟道功率 MOSFET ，漏极至源电压 (VDS) 为 500V。 栅极至源电压 (VGS) 为 30V。它采用 D2PAK (TO-263) 和 I2PAK (TO-262) 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 10 VGS 时为 3 欧姆。最大漏极电流 17A。
低栅极电荷 Qg 可实现简单的驱动要求
改进的门，雪崩和动态 dV/dt 坚固性
完全特征化的电容和雪崩电压和电流