Vishay , 1 P型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=60 V, 11 A, TO-263, 表面安装, IRF9Z24SPBF
- RS 库存编号:
- 180-8310
- 制造商零件编号:
- IRF9Z24SPBF
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥323.05
(不含税)
¥365.05
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 50 个，准备发货
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB6.461 | RMB323.05 |
| 100 - 150 | RMB6.267 | RMB313.35 |
| 200 + | RMB6.079 | RMB303.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8310
- 制造商零件编号:
- IRF9Z24SPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.28Ω | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 60W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 2.79mm | |
| 宽度 | 10.67 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 11A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.28Ω | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 60W | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 2.79mm | ||
宽度 10.67 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay IRF9Z24S 是 P 沟道功率 MOSFET ，具有 -60V 的漏 - 源 (VDS) 电压。 栅极 - 源电压 (VGS) 为 20V。它采用 D2PAK (TO-263) 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 10 VGS 时为 0.28 欧姆。最大漏极电流 -11A。
Advanced 工艺技术
表面安装
175 °C 工作温度