Vishay N沟道功率MOSFET, Vds=600 V, Id=6.2 A, 3针, JEDEC TO-220AB

RS 库存编号:: 180-8315
制造商零件编号:: IRFBC40APBF
制造商:: Vishay

Vishay N沟道功率MOSFET, Vds=600 V, Id=6.2 A, 3针, JEDEC TO-220AB

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100 - 150	RMB9.816	RMB490.80
200 +	RMB9.522	RMB476.10

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RS 库存编号:: 180-8315
制造商零件编号:: IRFBC40APBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	6.2A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.2Ω
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最大功耗 Pd	125W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	42nC
	正向电压 Vf	1.5V
	最高工作温度	150°C
	晶体管配置	单
	标准/认证	RoHS
	长度	14.4mm
	宽度	10.52mm
	高度	6.71mm
	每片芯片元件数目	1
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 6.2A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.2Ω
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最大功耗 Pd 125W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 42nC
	正向电压 Vf 1.5V
	最高工作温度 150°C
	晶体管配置单
	标准/认证 RoHS
	长度 14.4mm
	宽度 10.52mm
	高度 6.71mm
	每片芯片元件数目 1
	汽车标准否

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay MOSFET 是 N 沟道， TO-220-3 封装，是一种新时代的产品，漏极源电压为 600V ，最大栅极源电压为 30V。它在栅极源电压为 10V 时具有 1.20mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 125W。该产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。

特点和优势

•指定有效余弦

•完全特征化的电容和雪崩电压和电流

•改进的栅极，雪崩和动态 dV/dt

•无铅 (Pb) 组件

•低栅极电荷 Qg 可实现简单的驱动要求

•工作温度范围 -55°C 至 150°C

应用

•高速功率切换

•开关模式电源 (SMPS)

• UPS（不间断电源）

Vishay N沟道功率MOSFET, Vds=600 V, Id=6.2 A, 3针, JEDEC TO-220AB

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Vishay MOSFET

特点和优势

应用

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