Vishay , 1 N型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=800 V, 4.1 A, TO-262, 3引脚
- RS 库存编号:
- 180-8316
- 制造商零件编号:
- IRFBE30LPBF
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8316
- 制造商零件编号:
- IRFBE30LPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-262 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 78nC | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4.1A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-262 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3Ω | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 78nC | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay 功率 MOSFET,800 V 最大漏源电压,4.1 A 最大连续漏电流 - IRFBE30LPBF
此功率 MOSFET 是高电压 N 通道开关晶体管,设计用于工业环境中的功率转换和控制任务。它可在宽热范围内工作,适用于在通孔电源封装中需要稳健高电压处理和中等连续电流能力的电路。
特性和优点：
• 800 V 漏源额定值可实现高电压开关应用 • 4.1A 连续漏电流支持持久负载电流 • 3Ω 接通电阻可减少低负荷电路中的传导损耗 • 125W 功耗可在受限空间内处理大功率 • 78nC 典型栅极电荷允许可预测的开关能量预算 • 20 V 栅极-源限制可保护栅极驱动器选择和电路设计
应用
• 适用于工业电源和直流-直流转换器 • 适用于中等电流的高压电机驱动前端 • 用于高压系统中的缓冲电路或夹紧电路 • 可用于焊接或等离子控制电子设备中的开关元件
它在运行过程中可承受的温度范围是多少?
它的工作温度范围为-55°C至150°C,可在恶劣的热条件下使用。
PCB 布局和安装应考虑哪种封装?
TO-262 封装需要通孔安装和更大的铜面积以实现散热。
栅极充电对驱动器选择有何影响?
在栅极驱动电压下的典型栅极电荷为 78nC,可确定转换期间所需的驱动电流和开关损耗。
栅极电压应用是否有限制?
最大允许的栅极-源电压为 20 V,因此栅极驱动器和保护网络必须防止超出。