Vishay , 1 P型沟道 单 MOSFET, Vds=400 V, 1.8 A, TO-252, 表面, 通孔安装, 3引脚, IRFR9310PBF
- RS 库存编号:
- 180-8348
- 制造商零件编号:
- IRFR9310PBF
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | RMB4.90 | RMB367.50 |
| 150 - 225 | RMB4.753 | RMB356.48 |
| 300 + | RMB4.61 | RMB345.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8348
- 制造商零件编号:
- IRFR9310PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 400V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面, 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 标准/认证 | RoHS-compliant | |
| 长度 | 9.65mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1.8A | ||
最大漏源电压 Vd 400V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面, 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 7Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
标准/认证 RoHS-compliant | ||
长度 9.65mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET,400 V最大漏源电压,1.8 A最大连续漏电流 - IRFR9310PBF
此 MOSFET 是 P 通道功率晶体管,设计用于工业电子系统中的高电压开关和控制任务。它专为表面安装或通孔安装而设计,采用单元件晶体管配置,适用于分立功率级。该设备可在宽温度范围内工作,额定连续电流为中等,适用于需要紧凑型高压开关的应用。
特性和优点:
• 400 V 排放到源功能,支持高电压应用
• 7Ω 导通电阻,可实现可预测的传导损耗
• 1.8A 连续电流,支持中等负载电流
• 50W 功耗,可实现大量热处理
• 13nC 典型栅极电荷,用于可管理的开关控制
• 20V 最大栅极驱动,支持灵活的栅极驱动设计
• 7Ω 导通电阻,可实现可预测的传导损耗
• 1.8A 连续电流,支持中等负载电流
• 50W 功耗,可实现大量热处理
• 13nC 典型栅极电荷,用于可管理的开关控制
• 20V 最大栅极驱动,支持灵活的栅极驱动设计
应用
• 适用于工业自动化领域的高压电源开关
• 适用于电源拓扑中的P通道负载开关
• 用于电机控制电子设备中的分立晶体管级别
• 可用于电气系统中的保护和隔离电路
• 适用于电源拓扑中的P通道负载开关
• 用于电机控制电子设备中的分立晶体管级别
• 可用于电气系统中的保护和隔离电路
用于PCB安装或原型设计的封装类型有哪些?
该设备采用 TO-252 封装,支持表面贴装和通孔组装选项,以满足不同的板布局和原型设计需求。
热性能对安装选择有何影响?
最大接点温度为 150°C,额定耗散功率为 50W,应包括适当的热管理,如散热片或铜区域,以在持续负载下保持安全工作温度。
在设计控制电路时,必须遵守哪些栅极驱动限制?
栅极-源电压不得超过 20 V,因此应指定栅极驱动器和电平移位电路保持在此阈值范围内。
在组件中使用时是否有环境或法规考虑?
该组件符合 RoHS 标准,允许在适用限制物质指令的组件中使用。
