Vishay , 1 P型沟道 单 MOSFET, Vds=400 V, 1.8 A, TO-252, 表面, 通孔安装, 3引脚, IRFR9310PBF

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计(1 管,共 75 件)*

RMB367.50

(不含税)

RMB415.50

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 1,275 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
Per Tube*
75 - 75RMB4.90RMB367.50
150 - 225RMB4.753RMB356.48
300 +RMB4.61RMB345.75

* 参考价格

RS 库存编号:
180-8348
制造商零件编号:
IRFR9310PBF
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

1.8A

最大漏源电压 Vd

400V

包装类型

TO-252

安装类型

表面, 通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

50W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

晶体管配置

标准/认证

RoHS-compliant

长度

9.65mm

每片芯片元件数目

1

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET,400 V最大漏源电压,1.8 A最大连续漏电流 - IRFR9310PBF


此 MOSFET 是 P 通道功率晶体管,设计用于工业电子系统中的高电压开关和控制任务。它专为表面安装或通孔安装而设计,采用单元件晶体管配置,适用于分立功率级。该设备可在宽温度范围内工作,额定连续电流为中等,适用于需要紧凑型高压开关的应用。

特性和优点:


• 400 V 排放到源功能,支持高电压应用
• 7Ω 导通电阻,可实现可预测的传导损耗
• 1.8A 连续电流,支持中等负载电流
• 50W 功耗,可实现大量热处理
• 13nC 典型栅极电荷,用于可管理的开关控制
• 20V 最大栅极驱动,支持灵活的栅极驱动设计

应用


• 适用于工业自动化领域的高压电源开关
• 适用于电源拓扑中的P通道负载开关
• 用于电机控制电子设备中的分立晶体管级别
• 可用于电气系统中的保护和隔离电路

用于PCB安装或原型设计的封装类型有哪些?


该设备采用 TO-252 封装,支持表面贴装和通孔组装选项,以满足不同的板布局和原型设计需求。

热性能对安装选择有何影响?


最大接点温度为 150°C,额定耗散功率为 50W,应包括适当的热管理,如散热片或铜区域,以在持续负载下保持安全工作温度。

在设计控制电路时,必须遵守哪些栅极驱动限制?


栅极-源电压不得超过 20 V,因此应指定栅极驱动器和电平移位电路保持在此阈值范围内。

在组件中使用时是否有环境或法规考虑?


该组件符合 RoHS 标准,允许在适用限制物质指令的组件中使用。