Vishay , 1 N型沟道 单 MOSFET, Vds=100 V, 4.3 A, 表面, 通孔安装, 3引脚, IRLR110PBF
- RS 库存编号:
- 180-8363
- 制造商零件编号:
- IRLR110PBF
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | RMB3.64 | RMB273.00 |
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| 300 + | RMB3.425 | RMB256.88 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8363
- 制造商零件编号:
- IRLR110PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 安装类型 | 表面, 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.54Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±10 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 25W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 9.65mm | |
| 宽度 | 6.73 mm | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4.3A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
安装类型 表面, 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.54Ω | ||
最大栅源电压 Vgs ±10 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 25W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.1nC | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 9.65mm | ||
宽度 6.73 mm | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 N 沟道， IN-252-3 封装，是一种新时代的产品，漏极源电压为 100V ，最大栅极源电压为 10V。在 5V 栅极源电压下，漏极源电阻为 540mohm。MOSFET 的最大功耗为 25W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•提供带装和卷装
•动态 dV/dt 额定值
•无卤素和无铅 (Pb) 组件
• 逻辑电平栅极驱动
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• VGS 时规定的 RDS (接通) 为 4V 和 5V
•重复耐雪崩等级
应用
•电池充电器
• 变频器
• 电源
•开关模式电源 (SMPS)