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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | RMB17.178 | RMB85.89 |
| 15 - 20 | RMB16.664 | RMB83.32 |
| 25 + | RMB16.162 | RMB80.81 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8631
- 制造商零件编号:
- IRF730ASPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 400V | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1Ω | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最大功耗 Pd | 74W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 9.65mm | |
| 标准/认证 | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| 宽度 | 10.67 mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5.5A | ||
最大漏源电压 Vd 400V | ||
最大漏源电阻 Rd 1Ω | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最大功耗 Pd 74W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 9.65mm | ||
标准/认证 RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
宽度 10.67 mm | ||
高度 4.83mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 N 沟道， IN-263-3 封装，是一种新时代的产品，漏极源电压为 400V ，最大栅极源电压为 30V。它在栅极源电压为 10V 时具有 10mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 74W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•完全特征化的电容和雪崩电压和电流
•无卤素和无铅 (Pb) 组件
•改进的栅极，雪崩和动态 dV/dt
•低栅极电荷 Qg 可实现简单的驱动要求
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•高速功率切换
•开关模式电源 (SMPS)
• UPS（不间断电源）