Vishay , 1 N型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=600 V, 2.2 A, 通孔, 表面安装, 3引脚

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RS 库存编号:
180-8646
制造商零件编号:
IRFBC20SPBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

2.2A

最大漏源电压 Vd

600V

安装类型

通孔, 表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

4.4Ω

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最大功耗 Pd

3.1W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.6V

晶体管配置

最高工作温度

150°C

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

每片芯片元件数目

1

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
Vishay IRFBC20S 是一款 N 沟道功率 MOSFET ,漏极至源电压 (VDS) 为 600V。 栅极至源电压 (VGS) 为 20V。它采用 I2PAK (TO-262) 和 D2PAK (TO-263) 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 在 10VGS 时为 4.4 欧姆。最大漏极电流 2.2A。

表面安装

动态 dV/dt 额定值

150 °C 工作温度

快速切换

完全耐雪崩等级

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。