Vishay N型沟道 单 MOSFET, Vds=500 V, 32 A, TO-247AC, 3引脚, IRFP32N50KPBF
- RS 库存编号:
- 180-8653P
- 制造商零件编号:
- IRFP32N50KPBF
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- IRFP32N50KPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 32A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 包装类型 | TO-247AC | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.16Ω | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 190nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 460W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 16.25mm | |
| 宽度 | 15.87mm | |
| 标准/认证 | RoHS 2002/95/EC | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 32A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
包装类型 TO-247AC | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.16Ω | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 190nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 460W | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 16.25mm | ||
宽度 15.87mm | ||
标准/认证 RoHS 2002/95/EC | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是一款 N 沟道 TO-247AC-3 封装的新时代产品，其漏源电压为 500V，最大栅源电压为 30V。在栅源电压为 10V 时，其漏源电阻为 160mΩ。该 MOSFET 的最大功耗为 460W。该产品已针对降低开关损耗与导通损耗进行优化。该 MOSFET 在确保性能与功能不受影响的前提下，兼具卓越的效率和长久稳定的使用寿命。
特性和优点
• 全面表征的电容与雪崩电压及电流
• 优化的栅极、雪崩和动态电压变化
• 无铅 (Pb) 元件
• 低栅极电荷 Qg 简化驱动要求
• 低导通电阻 RDS(on)
• 工作温度范围在 -55℃ 至 150℃ 之间
应用领域
• 硬开关与高频电路
• 高速电源开关
• 开关模式电源 (SMPS)
• 不间断电源