Vishay , 1 N型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=800 V, 4.1 A, 3引脚
- RS 库存编号:
- 180-8664P
- 制造商零件编号:
- IRFBE30LPBF
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8664P
- 制造商零件编号:
- IRFBE30LPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 78nC | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4.1A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3Ω | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 78nC | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay IRFBE30L 是 N 沟道功率 MOSFET ，漏极至源电压 (VDS) 为 800V。 栅极至源电压 (VGS) 为 20V。它采用 I2PAK (TO-262) 和 D2PAK (TO-263) 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 10 VGS 时为 3 欧姆。最大漏极电流 4.1 A
动态 dV/dt 额定值
重复性耐雪崩等级
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