Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=800 V, Id=4.1 A, 3针, TO-262

RS 库存编号:: 180-8664P
制造商零件编号:: IRFBE30LPBF
制造商:: Vishay

Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=800 V, Id=4.1 A, 3针, TO-262

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制造商零件编号:: IRFBE30LPBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	4.1A
	最大漏源电压 Vd	800V
	包装类型	TO-262
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3Ω
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	78nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	125W
	正向电压 Vf	1.8V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	晶体管配置	单
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	每片芯片元件数目	1
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 4.1A
	最大漏源电压 Vd 800V
	包装类型 TO-262
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3Ω
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 78nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 125W
	正向电压 Vf 1.8V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	晶体管配置单
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	每片芯片元件数目 1
	汽车标准否

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay 功率 MOSFET，800V 最大漏源电压，4.1A最大连续漏极电流 - IRFBE30LPBF

该功率MOSFET是一款N沟道晶体管，专为工业电子设备的高压开关和功率转换任务而设计。该器件采用TO-262封装，是一款单路功率晶体管，能够在宽温范围内承受较高的漏源电压和持续功耗，适用于需要强大电压耐受性的严苛工作条件。

特性和优点：

• 具备800V漏极能力，可实现高压开关
• 125W 功耗,可实现持久热负载
• 4.1A连续漏极电流，支持中等负载应用
• 3Ω导通电阻，提供可预测的导通电阻特性
• 78nC栅极电荷，可实现受控开关转换
• 最大Vgs为20V，可保护栅极完整性

应用

• 适用于工业高压电源
• 适用于开关模式电源转换阶段
• 用于需要高Vds的电机驱动电路
• 可用于过载保护和缓冲电路
• 适用于温度范围要求较高（或较宽）的电源管理场景

它在运行过程中能承受哪些极端温度?

它的工作温度范围宽达-55°C到150°C，适用于温度变化显著的环境。

在使用过程中，如何维护闸门保护装置？

栅源极间允许的最大电压为 20V，该值界定了安全栅极驱动幅值的阈值，以避免器件损坏。

对于散热和安装需求，应该考虑哪种封装？

TO-262 封装采用稳固的三引脚安装形式，并支持与器件 125W 额定功率相匹配的散热性能。

该芯片包含多少个有源元件？

该器件每个芯片仅包含一个有源元件，从而简化了单晶体管配置的电路拓扑结构。