Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=500 V, Id=5 A, 3针, TO-262

RS 库存编号:: 180-8670
制造商零件编号:: IRF830ALPBF
制造商:: Vishay

Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=500 V, Id=5 A, 3针, TO-262

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 包，共 5 件）*

RMB114.61

(不含税)

RMB129.51

另外 350 件在 2026年9月28日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
5 - 10	RMB22.922	RMB114.61
15 - 20	RMB22.238	RMB111.19
25 +	RMB21.57	RMB107.85

* 参考价格

RS 库存编号:: 180-8670
制造商零件编号:: IRF830ALPBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	5A
	最大漏源电压 Vd	500V
	包装类型	TO-262
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.4Ω
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	24nC
	最大功耗 Pd	74W
	最大栅源电压 Vgs	30V
	正向电压 Vf	1.5V
	晶体管配置	单
	最高工作温度	150°C
	长度	9.65mm
	高度	4.83mm
	宽度	10.67mm
	标准/认证	RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	每片芯片元件数目	1
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 5A
	最大漏源电压 Vd 500V
	包装类型 TO-262
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.4Ω
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC
	最大功耗 Pd 74W
	最大栅源电压 Vgs 30V
	正向电压 Vf 1.5V
	晶体管配置单
	最高工作温度 150°C
	长度 9.65mm
	高度 4.83mm
	宽度 10.67mm
	标准/认证 RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	每片芯片元件数目 1
	汽车标准否

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay 功率 MOSFET，500V 漏‑源电压，5A 连续漏极电流 - IRF830ALPBF

这款功率MOSFET是一款单N沟道晶体管，专为电子系统中的高压开关和电源转换应用而设计。该器件采用TO-262封装，作为一款紧凑型开关元件，适用于工商业环境中需要较高漏源电压能力和中等连续电流处理能力的电路。

特性和优点：

• 500V漏源电压额定值，适用于高压应用
• 5A连续漏极电流，支持稳定的功率传输
• 1.4Ω 导通电阻，可降低低电流设计的导通损耗
• 24nC的总栅极电荷，可实现更快的栅极转换
• ±30V栅极容差提供稳健的栅极驱动裕量
• 74W功耗能力有助于在负载条件下提供更大的散热裕量

应用

• 适用于离线开关模式电源
• 适用于高压电机驱动前端
• 用于需要快速切换的脉冲转换器
• 可用于工业灯和加热器控制
• 适用于电源调节和辅助电源

该器件在运行期间能承受怎样的极端温度？

其规定工作温度范围为-55°C至150°C，可适应低温启动及负载条件下的高温结温要求。

该芯片上有多少个分立晶体管元件？

该半导体器件每个芯片包含一个元件，为电路设计提供单一的开关通道。

其制造过程体现了哪些环境和材料标准？

该元件符合RoHS 2002/95/EC和IEC 61249-2-21材料和物质标准。

在二极管导通事件中，典型正向电压是多少？

导通期间，其体二极管的正向压降约为1.5V。