Vishay , 1 N型沟道 单 MOSFET, Vds=50 V, 2.4 A, HVMDIP, 4引脚
- RS 库存编号:
- 180-8673
- 制造商零件编号:
- IRFD020PBF
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB16.552 | RMB82.76 |
| 25 - 45 | RMB16.056 | RMB80.28 |
| 50 + | RMB15.578 | RMB77.89 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8673
- 制造商零件编号:
- IRFD020PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 50V | |
| 包装类型 | HVMDIP | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.1Ω | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 24nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 正向电压 Vf | 1.4V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 0.29in | |
| 宽度 | 0.425 in | |
| 标准/认证 | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| 高度 | 0.330in | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2.4A | ||
最大漏源电压 Vd 50V | ||
包装类型 HVMDIP | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.1Ω | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
正向电压 Vf 1.4V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 0.29in | ||
宽度 0.425 in | ||
标准/认证 RoHS Directive 2002/95/EC | ||
高度 0.330in | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 N 沟道， HVMDIP-4 封装是一种新时代的产品，漏极源电压为 50V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 100mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 1W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•紧凑型，端部可堆叠
•易于并联
• 极佳的热稳定性
•快速切换
•用于自动插入
•无铅 (Pb) 组件
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
应用
•电池充电器
• 变频器
• 电源
•开关模式电源 (SMPS)